
IGBTé›»æºæ˜¯ä¸€ç¨®é›»åЛ電åè¨å‚™ï¼Œä¸»è¦ç”¨äºŽå¤§åŠŸçŽ‡çš„é–‹é—œæŽ§åˆ¶ã€‚åœ¨ä½¿ç”¨æ™‚éœ€è¦æ³¨æ„以下幾點:
1. IGBT工作原ç†å’Œç‰¹æ€§éœ€è¦ç†Ÿæ‚‰å’Œç†è§£ï¼›2ã€çµé›»å®¹è¼ƒå¤§ï¼ˆç‰¹åˆ¥æ˜¯MOS-GTRç‰é«˜é »å™¨ä»¶ï¼‰ï¼Œæ‰€ä»¥é›»è·¯æ‡‰ç›¡å¯èƒ½çŸæ™‚間完æˆå°Žé€šèˆ‡æˆªæ¢çš„éŽç¨‹ä»¥ä¾¿æ¸›å°Iå…¬è¨´æ©Ÿé—œé›»æµæ‡‰åŠ›é€ æˆçš„å¯èƒ½æå®³;3. 由于逆變角決定輸出平å‡é›»å£“而å»å½±éŸ¿ç·šè·¯ä¸çš„交渡波形å„ä¸ç›¸åŒçš„特點故在è¨è¨ˆå’Œåˆ¶ä½œæ˜¯éœ€æ³¨æ„é€™äº›å› ç´ å¹¶é€²è¡Œç›¸æ‡‰æ”¹é€²4,å› é–‹é€šæè€—一般都較å°ä½¿å¾—Tonå¯ä»¥å¾ˆå¤§ç”šè‡³å¯é”æ•¸ç§’æ‰€ä»¥åœ¨é¸æ“‡å…ƒå™¨ä»¶æ™‚å¯é©ç•¶æ”¾å¤§ä½†èƒ½å°äºŽ75nså¦å‰‡æœƒé™ä½Žå·¥ä½œæ•ˆçŽ‡å¹¶æœ‰å¯èƒ½å°Žè‡´æ¨¡å¡Šæ€§æå£žï¼